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 论坛 » 工业控制 » RE: 为提高IC制造良品率重新定义IC设计(ZT)
 RE: 为提高IC制造良品率重新定义IC设计(ZT)  发表于 2008-06-20 13:16:22
呢称:beibeidong
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实例1:在设计流程中考虑CMP

 

CMP技术成为制造工艺的一个标准组成部分已经有好几代了,它可以用来保持蚀刻后的表面平整。这种平整技术起初是增加产量的一种手段。

 

不过,在今天看来,CMP可能会带来良品率方面的挑战。当处理不同的互连和电介质材料时,要得到一个均匀的CMP结果是非常困难的。许多制造商开始插入伪金属填充物,它们是由芯片空闲区域中的片状材料组成的。

 

金属填充物会影响芯片的时序、信号完整性甚至功能。即使平整化也要求伪片状材料置于最靠近功能部件的地方。这样做会引起功能导线间的信号耦合,从而形成额外的寄生效应。片状材料的存在还会改变电容效应。如果没有片状材料的纠正措施,CMP凹化将改变导线阻抗,而且厚度的变化也会影响信号的寄生效应。

 

在布局与布线或出带期间,设计团队可以用插入金属填充物的方法来控制CMP对产量和性能的影响,接着就可完成寄生效应的抽取。采用这种方法后,设计团队在制造前就能进行充分考虑这些效应的设计。新思公司的Astro布局与布线工具和HERCULES DRC工具支持金属填充物插入,Star-RCXT工具支持伪片状材料的寄生效应抽取。

 

 


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