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 论坛 » 模拟IC/电源 » RE: 传感器/ASIC集成缩小电流变送器体积(zz)
 RE: 传感器/ASIC集成缩小电流变送器体积(zz)  发表于 2008-06-30 14:34:59
呢称:stonesx
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  举例来说,可以采用四圈设计如图2所示,Minisens位于PCB的反面,这是一种高绝缘度的结构。另一种增加灵敏度的方法是使用较窄的走线。

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图2 四圈走线设计/高绝缘度结构

  高绝缘性来自于经改善的爬电间距与隔离间距,因为初级导体(四圈走线)位于低压电子元件所在PCB板的反面。这种情况下,确保两种距离都为8mm(PCB的特性:1.6mm/70μm Cu)(走线宽度:Minisens下为0.78mm,其他地方为3mm)。

  采用这种设计,在85℃环境温度下,可以测量5A的额定初级电流(条件:自然通风,30℃走线温升)。测量范围为±15A,灵敏度为130mV/A,对15A电流输出产生2V电压。

  用其他技术可以进一步增加灵敏度,如在Minisens上方用一个“跳线”与PCB走线构成一个回路,或在不同PCB层之间实现多个圈。测量较大电流时,可以将变送器定位于距初级导体较远的地方。

很多Minisens参数可以通过 片上的非易失性存储器作配置。它们可以用于调整变送器的增益、偏移、极性、温漂和增益算法(与VDD成正比或无关)。


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