SDRAM工作过程：
1. 上电稳定后经过8个刷新周期，进入模式寄存器设置（MRS），确定芯片的工作模式，CL，BL，突发传输方式。
2. 行有效，同时进行了片选和BANK选择工作。CS RAS有效 CAS WE无效，地址线和BA上选择相应的BANK和行（有些文档中将这两种都归为地址线，BA为地址的最高位）。
3. 列读写，当行有效后，选择需要的列进行读或写操作，CAS有效，RAS无效，地址线上为列地址，WE信号决定了究竟是读还是写操作。
SDRAM中的一些重要知识：
1. tRCD，RAS到CAS的延迟，也就是说当行有效后不能在下一个时钟周期就进行读写操作，而是要等待一定的时间，这个时间就是tRCD，一般为2个或3个时钟周期。
2. CL，读取潜伏期，读取过程中当CAS到达后并不能马上将数据输出到IO总线上，而是要经过一定的时间，这个时间就是CL，它是由于信号要经过放大等处理造成的，它的数值可以在MRS中改变，单位是芯片时钟周期。
3. 写入操作是没有任何延迟的，在CAS发出后数据就可以发出SDRAM
4. 利用设置BL可以连续传送一组数据而不需要给出相应的地址只要给出第一个数据的地址就可以了。
5. 预充电过程，当选择同一BANK的不同行的时候就要进行预充电操作，一般为2个时钟周期。
6. 刷新过程分两种，一种是自动刷新还有一种是自刷新。提高SDRAM效率必须要尽量减少以上提到的各种时间造成数据的延迟。
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