一：易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。

           优点：读写速度快，读写寿命无次数限止。

           缺点：掉电会丢失数据。

           

       二：现在非易失性存储器包括EEPROM和Flash，不过它们都是在ROM技术上发展而成的。

           优点：掉电数据会保存。

           缺点：写入时间慢（一般每写入一次，需要一个5至10毫秒时间的缓冲或预冲）

                 高压写入（内部都要12V至24V的高写入电压）

                 功耗大

                 读写有次数限止（EEPROM是100万次，FLASH是10万次）

 

       三：铁电存储器包括了RAM和ROM的所有优点。（可以说铁电是一种掉电数据保存的RAM）

           优点：读写速度快（最高可达纳秒级的）

                 读写次数最低为100亿次（高电压工作为100亿次，低电压为无限次）

                 100亿次后还可以当RAM用，此时掉电不保存数据

                 低功耗（不需要高压写入）

                 掉电数据不丢失（保存10年）

 

 

 

铁电型号有：按接口分IIC串型接口，SPI串型接口，并口接口。

                    按容量分4K/16K/64K/256K/512K/4Mbit；8K/32K/128Kbyte。

 

 

 

 

广泛用于各类工业控制，电力电表，汽车电子，安防监控，车载GPS，变频器，大型游戏机等领域。